四合院：我是雨水表哥
第484章 技术结缘

会议室里的气氛松弛下来。

陈光远正要说话，陈老师又开口了：“等等，我还没讲完。”

他转身，在黑板上又画了一个图。

这次的图更复杂，阵列更大，线条更密。

“这是我们设计的第二款。”他说，“动态随机存储。”

台下安静了。

陈老师指着那个图：“一管一容。一个比特只用一个管子加一个电容。面积是六管单元的六分之一，甚至十分之一。同样的芯片面积，容量能翻十倍。”

他转过身，看着台下：“这一款的目标容量，是4kbit。256×16，或者512×8。”

台下有人倒吸一口气。

4kbit，512个字节，是上一款的八倍。

陈老师正要继续讲，钱兰又举手了。

“陈老师，我能不能问几个问题？”

陈老师看着她：“问。”

钱兰站起来，走到黑板前。

“第一，电容怎么画？”

她拿起粉笔，在动态存储单元的图旁边画了一个剖面图。

“五微米工艺，要在硅片上做一个能稳定存储电荷的电容。它需要极薄的介质层，需要足够大的极板面积，需要极低的漏电流。这三个要求，每一个都在挑战我们现有的材料和工艺极限。”

她转过身，看着台下的胡教授。

作为6305厂动力中心的专家，胡教授想了想，说：“钱兰说得对。我们目前能做出的最薄氧化层，针孔密度大概是每平方厘米几十个。做电容的话，漏电流会很大，存不住电荷。”

陈老师的脸色变了一下，但没说话。

钱兰继续问：“第二，怎么刷新？”

她在黑板上画了一个时序图。

“动态存储，电荷会漏，必须定期刷新。几毫秒就得把所有比特读一遍再写回去。这个刷新电路，如果做在外面，编程机的主控芯片就得额外处理刷新逻辑。如果做在里面，芯片面积又得加上一大块刷新控制电路。”

她放下粉笔，看着陈老师：“而且刷新的时候，芯片不能正常读写，时序上就得留出‘空白期’。昆仑的编程机是实时编辑的，工程师敲键盘的时候，不能等几微秒让芯片‘喘口气’吧？”

陈老师没说话。

钱兰又问：“第三，环境适应性。”

她指了指窗外的太阳：“冬天办公室里温度零下十度，夏天车间里四十度。动态存储的漏电流随温度指数级上升，高温下电荷根本存不住。要保证它在全温度范围内稳定工作，要么加温补电路，要么把刷新频率提得极高。无论哪种，都是巨大的工程。”

会议室里安静得能听见空调的嗡嗡声。

钱兰说了第四点：“第四，维修问题。六管静态单元，出问题了，能拿着放大镜对着版图查。哪个管子坏了，哪条线断了，能定位，能分析，能改。动态存储，电容漏电的原因可能是氧化层针孔、可能是杂质沾污、可能是界面态陷阱……查出来难，改起来更难。”

她看着陈老师：“陈老师，我的问题问完了。”

会议室里一片寂静。

陈老师被驳得有点下不来台，脸上的表情变了好几下。

所有人都惊呆了，都没想到钱兰会这么不给面子。

过了好几秒，陈老师叹了口气：“钱工，你说得对。动态存储，以现在的工艺条件，确实做不出来。”

他转身，把黑板上的动态存储图擦了。

“但这个东西，方向是对的。”

他重新写下一行字：一管一容，是未来。

“我们现在做不出来，不代表以后做不出来。等工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，这条路，一定要走。”

吕辰这时候站起来，打圆场：“陈老师说得对。追求大容量，方向没有错。这个方案非常有价值。”

他看了看钱兰，又看了看陈老师：“咱们现在要做的，是给编程机做一块‘现在就能用、出了问题自己能修’的存储芯片。但动态存储的研究，不能停。等条件成熟了，这就是下一代存储芯片的基础。”

钱兰也点点头：“陈老师，我刚才不是否定您的方案。一管一容，确实是未来的方向。等咱们的工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，我一定去做。”

陈老师看着她，忽然笑了：“钱工，您这个脾气，我喜欢。”

他走回座位，坐下，喝了一口水。

钱兰脸一下子红了，诸葛彪和吕辰对视了一眼，忍不住偷笑起来。

吕辰忍着笑，总结道：“行，那咱们就定下来。第一款静态存储，继续完善。第二款动态存储，先做预研，不急着流片。”

陈光远点点头：“就这么定了。”

会议散了。

吕辰三个人从会议室出来，站在走廊里。

诸葛彪点了一根烟，吸了一口，然后看着钱兰：“钱师姐，你今天可把陈老师怼得不轻。”

钱兰瞪了他一眼：“我是就事论事。他的动态存储方案，确实做不出来。”

“我知道。”诸葛彪笑了笑，“但你那一二三四，条条都打在七寸上。陈老师在哈工大也是有名的人物，被你问得哑口无言。”

钱兰没说话，但嘴角微微翘了一下。

正说着，陈老师收拾完，匆匆追了上来：“钱工，等等，我还有几个问题要找你细谈！”

……

吕辰拍了拍诸葛彪的肩膀：“行了，走吧。”

诸葛彪嘿嘿一乐，两人自行车，往厂外走。

七月的风，吹在脸上，很舒服。