意念奇点
第140章 硅晶圆

研磨倒角过后，晶圆需要进入退火炉加热至一千度，在氢气或者氩气氛围中高温处理一到两个小时，用以修复晶圆内部晶格缺陷，消除前面机械加工过程中的残余应力。

退火处理后的硅晶圆，还要经过氢氟酸和硝酸混合液清洗，进一步去除表面机械损伤和金属杂质。

清洗后的硅晶圆进入化学机械抛光机，配合硅胶研磨垫和含二氧化硅颗粒的碱性研磨液，进行化学腐蚀与机械摩擦双重加工，以达到纳米级平整度，使晶圆表面达到镜面效果，满足后面的光刻需求。

抛光过后，使用兆声波清洗机去除晶圆表面颗粒和残留物，再经过激光缺陷检测仪和原子力显微镜双重检测，精度和表面粗糙度都符合要求，一片硅晶圆才算制备成功，可以进入下一步微电路加工制造流程。